| 热(rè)門(mén)搜索: 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,个(gè)性(xìng)化(huà)定(dìng)制,廠(chǎng)家直(zhí)銷
zno压敏電(diàn)阻是(shì)半導體(tǐ)電(diàn)子陶瓷器件(jiàn),主要(yào)功能(néng)是(shì) 識别和(hé)限制瞬态过(guò)電(diàn)压,反(fǎn)複使用(yòng)而(ér)不(bù)損壞。它(tā)的(de)電(diàn)流 (I)—電(diàn)压(U)特(tè)性(xìng)是(shì)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)的(de),與(yǔ)穩压二(èr)极(jí)管相似。 但與(yǔ)二(èr)极(jí)管不(bù)同(tóng),压敏電(diàn)阻能(néng)限制的(de)过(guò)電(diàn)压在(zài)两(liǎng)个(gè)极(jí)性(xìng)上(shàng) 相等,于是(shì)呈現(xiàn)的(de) I-U 特(tè)性(xìng)很象(xiàng)两(liǎng)个(gè)背对(duì)背的(de)二(èr)极(jí)管。 压敏電(diàn)阻能(néng)用(yòng)于交流和(hé)直(zhí)流電(diàn)场(chǎng),電(diàn)压範圍從幾(jǐ)伏到(dào)幾(jǐ)千(qiān) 伏,電(diàn)流範圍從毫(háo)安(ān)到(dào)幾(jǐ)千(qiān)安(ān)。压敏電(diàn)阻還(huán)附加有(yǒu)高能(néng)量(liàng) 吸收(shōu)能(néng)力的(de)特(tè)性(xìng),範圍從幾(jǐ)焦耳到(dào)幾(jǐ)千(qiān)焦耳。它(tā)的(de)通(tòng)用(yòng)性(xìng) 使得压敏電(diàn)阻在(zài)半導體(tǐ)工業和(hé)電(diàn)力工業都有(yǒu)應(yìng)用(yòng)。 ZnO 压敏電(diàn)阻是(shì)用(yòng)半導體(tǐ) ZnO 粉末(mò)和(hé)其(qí)它(tā)氧化(huà)物(wù)粉末(mò) 如(rú):Bi、Sb、Co、Mn、Cr、Ni、Si 等經(jīng)过(guò)混合、压型和(hé)燒 结工藝而(ér)制成(chéng)。得到(dào)的(de)産品是(shì)具有(yǒu)晶界特(tè)性(xìng)的(de)多晶陶瓷, 这(zhè)一(yī)邊(biān)界特(tè)性(xìng)決定(dìng)了(le)压敏電(diàn)阻的(de)非(fēi)線(xiàn)性(xìng) I-U 特(tè)性(xìng)。 ZnO 压敏電(diàn)阻的(de)基本(běn)特(tè)性(xìng)包(bāo)括電(diàn)學(xué)特(tè)性(xìng)、物(wù)理(lǐ)特(tè)性(xìng)和(hé) 化(huà)學(xué)特(tè)性(xìng)。微觀结構是(shì)體(tǐ)現(xiàn)这(zhè)些性(xìng)質(zhì)的(de)媒介,是(shì) ZnO 压敏 電(diàn)阻的(de)基礎。

源林(lín)電(diàn)子是(shì)一(yī)家專業研發(fà)、生(shēng)産压敏電(diàn)阻的(de)高科技電(diàn)子元(yuán)器件(jiàn)企業。主營压敏電(diàn)阻、热(rè)敏電(diàn)阻和(hé)温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器,自(zì)有(yǒu)研發(fà)团(tuán)隊,廠(chǎng)家直(zhí)銷!
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,型号(hào)豐富
压敏電(diàn)阻連(lián)續工作(zuò)電(diàn)压壽命,即压敏電(diàn)阻在(zài)規定(dìng)环(huán)境和(hé)系(xì)統電(diàn)压条(tiáo)件(jiàn)下(xià)應(yìng)能(néng)可(kě)靠地(dì)工作(zuò)規定(dìng)的(de)时(shí)間(jiān)(h)。由于压敏電(diàn)阻总是(shì)承受着穩态工作(zuò)電(diàn)压應(yìng)力的(de)作(zuò)用(yòng),压敏電(diàn)阻的(de)壽命是(shì)與(yǔ)漏電(diàn)流密切(qiè)相關(guān)的(de)。在(zài)不(bù)發(fà)生(shēng)機(jī)械或(huò)其(qí)他(tā)電(diàn)气(qì)性(xìng)能(néng)失效的(de)情(qíng)況下(xià),压敏電(diàn)阻的(de)壽命主要(yào)由漏電(diàn)流IR(密度(dù)JR)及(jí)其(qí)温(wēn)度(dù)、電(diàn)压和(hé)时(shí)間(jiān)的(de)上(shàng)升(shēng)情(qíng)況所(suǒ)決定(dìng)。随着漏電(diàn)流IR(密度(dù)JR)升(shēng)高,發(fà)热(rè)量(liàng)增大(dà),若这(zhè)个(gè)能(néng)量(liàng)不(bù)能(néng)散(sàn)失,元(yuán)件(jiàn)的(de)温(wēn)度(dù)会很快上(shàng)升(shēng),这(zhè)種(zhǒng)元(yuán)件(jiàn)在(zài)維持(chí)一(yī)段(duàn)初始穩定(dìng)狀态後(hòu),終(zhōng)将达(dá)到(dào)热(rè)失控(击穿)的(de)温(wēn)度(dù)而(ér)结束(shù)其(qí)使用(yòng)壽命。

由于压敏電(diàn)阻型号(hào)太多,篇(piān)幅有(yǒu)限,恕不(bù)一(yī)一(yī)呈現(xiàn),欲知詳请,歡迎撥打(dǎ)图(tú)片(piàn)中(zhōng)的(de)咨詢電(diàn)話(huà)與(yǔ)我们(men)源林(lín)電(diàn)子聯系(xì),謝謝!
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,廠(chǎng)家直(zhí)銷
ZnO晶相位(wèi)于晶粒(lì)體(tǐ)內(nèi),为(wèi)低(dī)電(diàn)阻率的(de)半導體(tǐ),对(duì)大(dà)電(diàn)流特(tè)性(xìng)有(yǒu)決定(dìng)性(xìng)作(zuò)用(yòng)。ZnO半導化(huà)的(de)原因主要(yào)是(shì)氧不(bù)足導致(zhì)的(de)非(fēi)化(huà)學(xué)計(jì)量(liàng)比和(hé)施主摻雜,有(yǒu)大(dà)量(liàng)的(de)導電(diàn)電(diàn)子存在(zài),为(wèi)n型半導體(tǐ)。富铋相,约在(zài)750℃形成(chéng)12/14 Bi2O3
·Cr2O3 ,温(wēn)度(dù)低(dī)于850℃參與(yǔ)形成(chéng)焦綠(lǜ)石(dàn)相,超过(guò)850℃後(hòu)從焦綠(lǜ)石(dàn)相中(zhōng)分(fēn)離出(chū)来(lái),生(shēng)成(chéng)含
Cr的(de)富铋相,含有(yǒu)尖晶石(dàn)相和(hé)Zn,随着温(wēn)度(dù)的(de)升(shēng)高,Cr逐步移到(dào)尖晶石(dàn)相中(zhōng)。
Cr有(yǒu)穩定(dìng)尖晶石(dàn)相的(de)作(zuò)用(yòng),高温(wēn)冷(lěng)卻时(shí),可(kě)以阻止生(shēng)成(chéng)焦綠(lǜ)石(dàn)相。 焦綠(lǜ)石(dàn)相700-900℃时(shí)形成(chéng),850℃时(shí)达(dá)到(dào)峰(fēng)值,约950℃时(shí)消失,
反(fǎn)應(yìng)式如(rú)下(xià)
2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3

由于压敏電(diàn)阻型号(hào)太多,篇(piān)幅有(yǒu)限,恕不(bù)一(yī)一(yī)呈現(xiàn),欲知詳请,歡迎撥打(dǎ)图(tú)片(piàn)中(zhōng)的(de)咨詢電(diàn)話(huà)與(yǔ)我们(men)源林(lín)電(diàn)子聯系(xì),謝謝!
您好,歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子,歡迎咨詢...
![]() 触屏版二(èr)維碼 |